英特爾修改芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存芯片向更高頻率升級
由于英特爾公司修改了其即將推出的Springdale臺式機(jī)芯片組標(biāo)準(zhǔn),使它支持400MHz的DDR DRAM,內(nèi)存芯片廠商紛紛開始對設(shè)備進(jìn)行改造,準(zhǔn)備大量生產(chǎn)400MHz的DDR DRAM芯片。
據(jù)內(nèi)存芯片企業(yè)的官員稱,目前,大多數(shù)DDR DRAM的頻率都是266MHz或333MHz。內(nèi)存芯片廠商目前正在增加400MHz的DDR DRAM芯片的產(chǎn)量。各內(nèi)存芯片廠商原本沒有這樣的計(jì)劃,但由于英特爾公司修改了其Springdale芯片組的標(biāo)準(zhǔn),400MHz的DDR DRAM芯片能夠使系統(tǒng)發(fā)揮出更高的性能。
內(nèi)存芯片廠商Elpida公司的技術(shù)營銷主管朱恩表示,我們今年將生產(chǎn)更多的DDR 400芯片。此前,該公司DDR 400芯片的產(chǎn)量是極其有限的。三星公司的DRAM芯片營銷主管迪恩表示,三星公司今年也將生產(chǎn)更多的DDR 400芯片。
生產(chǎn)更快的內(nèi)存芯片不會造成生產(chǎn)方面的負(fù)擔(dān),反而可能適當(dāng)提高內(nèi)存芯片的價(jià)格。迪恩表示,由于需求疲軟,內(nèi)存芯片再次呈現(xiàn)出下降的趨勢。更快的內(nèi)存芯片最終將提高PC的性能。
內(nèi)存芯片速度的提高是PC各組件同步的結(jié)果。芯片組通過系統(tǒng)總線將處理器和內(nèi)存連接起來。在過去,系統(tǒng)總線、內(nèi)存和處理器的速度已經(jīng)比較或呈位數(shù)關(guān)系,例如,配置333MHz處理器的計(jì)算機(jī)可能使用66MHz的系統(tǒng)總線和66MHz的內(nèi)存芯片,F(xiàn)在,這一平衡已經(jīng)被嚴(yán)重破壞。處理器的速度已經(jīng)沖破3GHz的大關(guān),而系統(tǒng)總線一般為266MHz-533MHz,而內(nèi)存芯片的速度更是多種多樣,這樣,處理器就會經(jīng)常需要等待來自芯片組和內(nèi)存的數(shù)據(jù)。盡管設(shè)計(jì)人員采取了一定的措施來彌補(bǔ)這種不平衡,但提高系統(tǒng)總線和內(nèi)存芯片的速度有助于提高系統(tǒng)的性能。
計(jì)劃于3、4月份問世的Springdale芯片組原定的運(yùn)行速度為667MHz,這使得它能夠適應(yīng)333MHz的DDR DRAM芯片。英特爾公司于去年末將其運(yùn)行速度提高到了800MHz,促使許多廠商開始加大400MHz的DDR DRAM芯片的產(chǎn)量。
英特爾公司的老對頭AMD公司也將得益于這一轉(zhuǎn)變,其Athlon處理器目前的系統(tǒng)總線的速度是266MHz或333MHz,但它計(jì)劃將它提高到400MHz。Nvidia公司也宣布,其未來的Nforce 2芯片組的總線速度也將提高到400MHz。
Elpida公司的朱恩表示,轉(zhuǎn)向400MHz的DDR DRAM芯片的一個(gè)可能的壞處可能是熱量,速度較快的內(nèi)存芯片消耗的電能更多。
盡管在提高DDR 400MHz的產(chǎn)量,內(nèi)存芯片廠商還在加緊設(shè)備改造工作,生產(chǎn)一種被稱為DDR II的新版DDR芯片。DDR II內(nèi)存芯片將2004年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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