GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實現(xiàn)20nm及更尖端工藝的3D芯片
GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在為新一代移動和消費電子應(yīng)用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上,公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導(dǎo)體晶圓中構(gòu)建硅通孔(TSV)的特殊生產(chǎn)工具。此舉將使客戶能夠?qū)崿F(xiàn)多個芯片的堆疊,從而為滿足未來電子設(shè)備的高端要求提供了一條新的渠道。
TSV,即在硅中刻蝕豎直孔徑,并以銅填充,從而在垂直堆疊的集成電路之間實現(xiàn)導(dǎo)通。例如,該技術(shù)允許電路設(shè)計人員將存儲器芯片堆疊于應(yīng)用處理器之上,在實現(xiàn)存儲器帶寬大幅提高的同時降低功耗,從而解決了智能手機和平板電腦等新一代移動設(shè)備設(shè)計中的這一重大難題。
在尖端工藝節(jié)點上采用集成電路3D堆疊技術(shù)如今已日益被視為傳統(tǒng)的在晶體管級上采用技術(shù)節(jié)點進(jìn)行等比例縮小的替代方案。然而,隨著新的封裝技術(shù)的出現(xiàn),芯片與封裝交互的復(fù)雜性顯著提高,晶圓代工廠及其合作伙伴越來越難以提供“端到端”的解決方案來滿足眾多尖端設(shè)計的要求。
GLOBALFOUNDRIES首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示:“為了幫助解決上述在新的硅工藝節(jié)點上的挑戰(zhàn),我們很早就已開始與合作伙伴共同開發(fā)能夠支持半導(dǎo)體行業(yè)下一波創(chuàng)新的封裝解決方案。通過采用廣泛合作的方法,我們能夠給予客戶最大的選擇權(quán)和靈活性,同時致力于節(jié)省成本、加快量產(chǎn)時間,并降低新技術(shù)開發(fā)的相關(guān)技術(shù)風(fēng)險。在Fab 8中安裝20nm技術(shù)的TSV工具將令GLOBALFOUNDRIES新增一個重要能力,從設(shè)計到組裝和測試,今后我們在與半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的眾多公司在研發(fā)與制造上的合作都將因此受益。”
GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技術(shù)最先進(jìn)的晶圓代工廠之一,也是美國規(guī)模最大的尖端半導(dǎo)體代工廠。該工廠專注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造,20nm技術(shù)研發(fā)正在順利進(jìn)行中。采用TSV的首顆全流芯片預(yù)計將于2012年第三季度在Fab 8開始生產(chǎn)。
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