研究者開發(fā)出 ReRAM 硅芯片
還記得我們之前報道過的 ReRAM(可變電阻式記憶體)嗎?不記得的話也沒有關(guān)系,你只要知道兩點就行了:它的速度要遠(yuǎn)高于 NAND 型閃存;Elpida、夏普、松下這些廠商已經(jīng)將此項技術(shù)運(yùn)用到自己的芯片產(chǎn)品中去了。而最近來自倫敦大學(xué)學(xué)院(University College London)的一項研究成果更是讓我們看到了 ReRAM 美好的未來。那里的研究者制造了一種芯片,其速度可達(dá)普通閃存的 100 倍。它由二氧化硅(silicon oxide)制成,因此芯片的電阻表現(xiàn)更佳,另外因為其不需要真空生產(chǎn),所以造價也比較便宜。除了比閃存速度更快之外,藉助其對各種傳導(dǎo)率的適應(yīng)能力這款晶片也可以被當(dāng)做憶阻器使用。另外在數(shù)據(jù)處理和任務(wù)儲存方面,它同樣也是一把好手。研究者們希望能憑藉這項技術(shù)開拓二氧化硅 CPU 市場,除此之外他們也已經(jīng)將此設(shè)計運(yùn)用到了移動設(shè)備透明記憶晶片的開發(fā)當(dāng)中。如果你想要了解更多相關(guān)資訊的話,點擊來源可以看到 Phys.org 更詳細(xì)的報道。
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