新款功率MOSFET產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)更小更環(huán)保的汽車(chē)電源
日前,S芯片公司針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。
據(jù)融合網(wǎng)|DWRH.net獲悉,新產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101汽車(chē)測(cè)試認(rèn)證,采用該公司內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝,擊穿電壓范圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。
400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場(chǎng)上同級(jí)產(chǎn)品中首個(gè)獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET,而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。全系列產(chǎn)品專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì),內(nèi)部集成快速恢復(fù)體二極管(fast body diode)、恢復(fù)軟度系數(shù)更高的換向行為(commutation behavior)和背對(duì)背柵源齊納(gate-source zener)二極管保護(hù)功能,是全橋零壓開(kāi)關(guān)拓?fù)涞睦硐脒x擇。
內(nèi)部快速體二極管的性能表現(xiàn)亦十分出色,有助于降低EMI電磁干擾,讓設(shè)計(jì)人員能夠使用尺寸更小的被動(dòng)濾波器件。MDmeshTM DM2技術(shù)通過(guò)這種方式讓電源設(shè)計(jì)變得更環(huán)保、能耗更低,從而使能效最大化、終端產(chǎn)品的尺寸最小化。
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