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超紫外線芯片未來將成晶圓廠標(biāo)準(zhǔn)制程

來源:未知 作者:張立美 責(zé)任編輯:admin 發(fā)表時間:2018-08-03 11:02 
核心提示:AMD宣布與研發(fā)伙伴IBM共同合作,運用超紫外線微影技術(shù),針對整個芯片中最關(guān)鍵的第一層金屬鏈接進行測試,并成功生產(chǎn)出作業(yè)測試芯片,透過全面性的超紫外線微影技術(shù),成功整合至大小為22mm*33mm的45納米節(jié)點測試芯片制程。

AMD宣布與研發(fā)伙伴IBM共同合作,運用超紫外線微影技術(shù),針對整個芯片中最關(guān)鍵的第一層金屬鏈接進行測試,并成功生產(chǎn)出作業(yè)測試芯片,透過全面性的超紫外線微影技術(shù),成功整合至大小為22mm*33mm的45納米節(jié)點測試芯片制程。

據(jù)Bruno La Fontaine博士表示,AMD的超紫外線微影技術(shù)在未來數(shù)年,在半導(dǎo)體制程上的應(yīng)用具十足的潛力,業(yè)界廠商因芯片體積縮小而受惠。雖然在業(yè)界可運用超紫外線微影技術(shù)量產(chǎn)之前,仍有許多挑戰(zhàn)需要克服,但是AMD已經(jīng)證明該技術(shù)可以成功地與半導(dǎo)體晶圓制程結(jié)合,完整產(chǎn)出芯片上的第一層金屬互連層。

IBM結(jié)構(gòu)研究經(jīng)理David Medeiros表示,微影技術(shù)如同微處理器一樣重,如何將含有數(shù)百萬個電晶體集成芯片的高度復(fù)雜設(shè)計,移轉(zhuǎn)到晶圓片上的技術(shù),將是未來的重大挑戰(zhàn),而晶圓片上的多重層級,是建立一個芯片的必要條件。

David Mederios進一步指出,隨著芯片工程師持續(xù)在芯片上加入嶄新功能,同時增強芯片的效能表現(xiàn),讓體積愈來愈小的電晶體可在特定的區(qū)域中放置更多的電晶體,要如何制造小型電晶體與連接電晶體的金屬線,與用來投射芯片設(shè)計在晶圓片上的光波長度有直接關(guān)系,超紫外線光刻顯影技術(shù)采用13.5奈米的波長,大幅縮短現(xiàn)今的193納米微影技術(shù),持續(xù)推動傳統(tǒng)芯片功能與體積間的可調(diào)整性。

現(xiàn)時,位于德國德勒斯登的AMD36號廠,首先采用193nm浸潤式微影量產(chǎn)技術(shù),進行芯片測試,再將測試芯片運送至位于紐約州阿爾巴尼的IBM奈米科學(xué)與工程學(xué)院之研發(fā)中心, AMD 、 IBM 與其他合作伙伴運用由ASML、IBM、與CNSE合作建置的ASML超紫外線微影掃描器,于德國制造的電晶體間進行第一層金屬相連物的圖樣模型。

在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉淀等制程后,AMD對超紫外線微影設(shè)備架構(gòu)進行電子測試,發(fā)現(xiàn)電晶體的特征與僅使用193nm浸潤式微影量產(chǎn)技術(shù)進行的芯片測試結(jié)果相符。這些晶圓片將再透過標(biāo)準(zhǔn)的晶圓制程,增加額外的金屬互連層,進而使大型的記憶數(shù)組亦可進行測試排程。

驗證超紫外線顯影技術(shù)量產(chǎn)可行性的下一步驟,是將此技術(shù)從金屬互聯(lián)物層的應(yīng)用,擴展到所有層級,以證明超紫外線微影技術(shù)可制造一個完整的作業(yè)微處理器,預(yù)期國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖將可望于2016年達到22nm半間距節(jié)點的標(biāo)準(zhǔn),因此超紫外線微影技術(shù)必須在2016年前達到可量產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。

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