Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
日前發(fā)布的器件將用于智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產品的電源管理應用中的電池或負載開關。MOSFET的外形緊湊小巧，可節(jié)省PCB空間并實現(xiàn)超薄的外形，使便攜式電子產品變得更薄、更輕，低導通電阻可實現(xiàn)更低的傳導損耗，以減少功耗并延長電池壽命。器件的低導通電阻還可以降低負載開關上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。
這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的產品，采用超高密度技術制造，使用自對齊工藝技術，將10億個晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過MICRO FOOT的無封裝CSP技術，使器件在給定的外形面積內實現(xiàn)了盡可能低的導通電阻。
12V Si8806DB是P溝道器件，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻為43mΩ。如需要20V電壓，Si8812DB提供59mΩ的最大導通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉化器等高速開關應用，開啟/關斷時間小于100ns。
20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉換器應用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻為76mΩ，可用于空間比導通電阻更重要的應用場合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導通電阻更低，只有54mΩ，適用于導通電阻更重要的應用。
新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
Si8489EDB是首個1mm x 1mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件，典型ESD保護達2500V。此外，Si8817DB可以在1.5V電壓下導通，可以搭配手持設備中常見的更低電壓柵極驅動和更低的總線電壓一起工作，節(jié)省電平轉換電路的空間和成本。
器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。
(責任編輯：admin)
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