Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的器件,在實現(xiàn)低導通電阻的同時,高度比通常的0.75mm還要低28%,同時保持相同的PCB布版樣式!
Si7655DN的應用將包括工業(yè)系統(tǒng)中的負載開關和熱插拔,適配器、電池和充電電路中的負載開關,智能手機、平板電腦和其他移動計算設備中的電源管理。Si7655DN還可以用于固話電信、蜂窩電話基站和服務器/計算機系統(tǒng)中的冗余開關、OR-ing和監(jiān)管應用。
利用新的PowerPAK 1212封裝型號和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領先的P溝道Gen III技術,Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導通電阻。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件提高17%或更多。
Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在電路中實現(xiàn)更低的壓降,更有效地使用電能,讓電池運行的時間更長,且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節(jié)省寶貴的空間。
Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。
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