日本東北地區(qū)在3月11日發(fā)生9.0級大地震后，雖然初期NAND Flash現(xiàn)貨市場已反應(yīng)，因擔(dān)心可能的供給短缺狀況而出現(xiàn)急漲，但部份NAND Flash供貨商在3月上旬時，因?qū)θ毡菊馂?zāi)后的NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈?zhǔn)苡绊憼顩r仍不清楚，故暫未變動3月上旬的合約價格，但隨著東芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合資廠受地震影響，而將產(chǎn)生一些晶圓投片量的減損，以及部份IC上游原物料的供給量，也將因受災(zāi)區(qū)廠房停產(chǎn)而產(chǎn)生短缺的消息陸續(xù)傳出后，NAND Flash供貨商們在3月份下旬都已陸續(xù)調(diào)高NAND Flash的合約報價，累計3月份主流的MLC NAND Flash合約均價上漲約達(dá)5-15%，但3月下旬的部份TLC合約均價則出現(xiàn)約10%的跌幅，主要是因有些供貨商對其2xnm TLC新產(chǎn)品采取了較優(yōu)惠的定價策略，以吸引記憶卡及UFD客戶于1Q季底前增加其采購量。

但2Q NAND Flash市場的供需狀況仍將會受到一些供需不確定因素的影響，就NAND Flash供給面而言：1.) 在考慮東芝/晟碟的四日市合資廠于日本3月地震期間的晶圓投片減損量，以及2Q后期的硅晶圓供貨可能吃緊等因素下，我們預(yù)估該陣營的2Q產(chǎn)出減少量可能約占其2Q位總產(chǎn)量的10%以下，故也可能使2Q全球NAND Flash位總產(chǎn)出量減少約4%以下。 2.) 就2Q上游硅晶圓的供應(yīng)狀況來看，其中以信越化學(xué)(Shin-Etsu Chemical)的白河(Shirakawa)廠停工的影響最大，該廠約占全球硅晶圓約20%左右的產(chǎn)出量，目前仍因設(shè)備檢修及限電因素而沒有明確的復(fù)工進(jìn)度，至于受限電暫時停工的SUMCO米澤(Yonezawa)廠以及MEMC宇都宮(Utsunomiya)廠，因他們在災(zāi)區(qū)的產(chǎn)能比較小，故對2Q硅晶圓供給的影響也會比較小，以目前NAND Flash廠的庫存水位，以及業(yè)者的硅晶圓采購調(diào)度與內(nèi)部分配策略來看，預(yù)期在5月底前尚不會影響到業(yè)者NAND Flash的生產(chǎn)計劃。 3.) 若2Q硅晶圓供給持續(xù)吃緊，廠商也可能會在內(nèi)部不同產(chǎn)品的硅晶圓運用配置上做調(diào)整，但目前業(yè)者仍在觀察2Q NAND Flash市場后續(xù)的供需發(fā)展?fàn)顩r。 4.) 半導(dǎo)體用的BT 樹脂(resin)主要供貨商三菱瓦斯(Mitsubishi Gas Chemical)及日立化工(Hitachi Chemical)，目前均已計劃自3月底起逐步地回復(fù)他們位于災(zāi)區(qū)工廠的部份產(chǎn)能，故預(yù)期5月初時來自BT樹脂方面的影響將會逐漸獲得解決。

就需求面而言：1.) 2Q的記憶卡及UFD通路市場仍將受傳統(tǒng)淡季效應(yīng)的影響。 2.) 日本大地震后 NAND Flash下游終端應(yīng)用產(chǎn)品如：平板計算機、智能型手機及PC等的零組件供貨商位于災(zāi)區(qū)的部份工廠，目前仍因限電、原材料短缺或檢修設(shè)備而停工，以下游相關(guān)業(yè)者現(xiàn)有的庫存水位及2Q淡季部份終端產(chǎn)品銷售量可能不如原先預(yù)期的狀況來看，預(yù)計在5月中前尚不會影響到業(yè)者維持正常的生產(chǎn)計劃，同時下游業(yè)者近期也開始尋找及測試可行的替代組件，以做為2Q后期的生產(chǎn)應(yīng)變備用方案。 3.) 考慮災(zāi)后日本市場對NAND Flash終端產(chǎn)品的需求短期內(nèi)將可能會下降，以及部份NAND Flash終端產(chǎn)品的出貨量將受限于零件短缺或業(yè)者遞延部份新產(chǎn)品的鋪貨時程等因素而減少，故也將可能會影響到2Q或3Q NAND Flash終端產(chǎn)品的銷售量。

所幸目前日本災(zāi)區(qū)的交通基礎(chǔ)設(shè)施已逐步復(fù)元中，且多國專家已加入福島核電一廠(Fukushima Daiichi nuclear power plant)的搶修工作，災(zāi)區(qū)的相關(guān)問題也可望能盡快地獲得改善，另外日本方面也正在進(jìn)行重啟部份備用火力發(fā)電廠(Thermo power plant)以及夏季電力供應(yīng)配置等應(yīng)急計劃，以減少短中期限電因素對其國內(nèi)生產(chǎn)活動的影響程度，故綜觀而言我們預(yù)期2Q NAND Flash市場的供給及需求量可能都會同時小幅地減少，在3月份NAND Flash合約價已先反應(yīng)短期供給面不確定因素而大漲后，故4月份NAND Flash市場在上述這些供給及需求面的多空因素相互影響下，預(yù)期NAND Flash合約價格可望維持大致穩(wěn)定，但隨著日本東北及關(guān)東(Kanto)地區(qū)的限電因素在2Q中逐漸獲得改善后，預(yù)期NAND Flash合約價格將可能會轉(zhuǎn)為反應(yīng)2Q中的淡季效應(yīng)而走軟。