GLOBALFOUNDRIES Fab8晶圓廠(chǎng)啟用3D芯片堆疊技術(shù)
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布,在以3D芯片堆疊為基礎(chǔ)的下一代移動(dòng)和消費(fèi)應(yīng)用芯片制造道路上達(dá)成重要的里程碑。
GLOBALFOUNDRIES表示,旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠(chǎng),已開(kāi)始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領(lǐng)先的20nm技術(shù)平臺(tái),在半導(dǎo)體晶圓處理過(guò)程當(dāng)中,可以進(jìn)行透硅通孔(TSV)。 TSV能力將讓客戶(hù)設(shè)計(jì)多個(gè)芯片堆疊產(chǎn)品,滿(mǎn)足未來(lái)電子設(shè)備苛刻要求。
基本上來(lái)說(shuō),TSV技術(shù),可以啟用垂直堆疊的集成電路之間的通信。例如,該技術(shù)可以讓電路設(shè)計(jì)者,在處理器芯片上堆疊內(nèi)存芯片,顯著提高內(nèi)存帶寬,并降低功耗,滿(mǎn)足下一代芯片,如智能手機(jī)、平板電腦芯片對(duì)功耗降低的苛刻要求。
目前,三維堆疊集成電路正越來(lái)越多地被視為傳統(tǒng)晶體管節(jié)點(diǎn)技術(shù)的替代品。然而,采用新的芯片封裝技術(shù),芯片之間相互作用復(fù)雜性越來(lái)越強(qiáng),會(huì)讓芯片代工晶圓廠(chǎng)和合作伙伴提供完美解決方案的難度越來(lái)越高。
GLOBALFOUNDRIES公司CTO表示,年初與合作伙伴共同開(kāi)發(fā)芯片封裝新的解決方案,為客戶(hù)提供最大的選擇和靈活性,同時(shí)節(jié)約成本和開(kāi)發(fā)時(shí)間,并減少開(kāi)發(fā)新技術(shù)相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)。隨著TSV功能在20nm Fab 8晶圓廠(chǎng)啟用,GLOBALFOUNDRIES公司為整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)添加從設(shè)計(jì)到組裝和測(cè)試的全新能力。
作為世界上技術(shù)最先進(jìn)的晶圓制造商,GLOBALFOUNDRIES公司最大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)在于美國(guó)新建的Fab 8工廠(chǎng),具備領(lǐng)先32/28nm工藝的20nm以下技術(shù)。預(yù)計(jì)采用TSV技術(shù)的晶圓,將于2012年第三季在Fab 8工廠(chǎng)批量生產(chǎn)。
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