iNPOFi單芯片無線充電—效率超90%,減少90%PCB面積
2013年6月,硅展科技在廣州“2013年天翼手機(jī)交易會(huì)”展示了“inpofi智能無輻射”技術(shù)ssl1001、ssl1006系列無線充電發(fā)送器和接收器集成電路(ic),其在單芯片上集成發(fā)送器與支持組件,與現(xiàn)有解決方案相比可將發(fā)送器和接收器面積和bom(材料清單)減少90%以上,同時(shí)方案電源傳輸效率超過90%,相比于傳統(tǒng)無線充電方案明顯的優(yōu)勢吸引參展手機(jī)廠商的廣泛關(guān)注和討論。
無線充電技術(shù)近年來炙手可熱,像藍(lán)牙技術(shù)、wifi技術(shù)讓人們擺脫線纜傳輸數(shù)據(jù)一樣,它的出現(xiàn)讓人們看到可以擺脫無數(shù)不同規(guī)格、不同種類充電連接線的束縛,只要把手機(jī)等設(shè)備往充電底座上一放,就能輕松實(shí)現(xiàn)充電。目前市場已有一些智能手機(jī)支持無線充電功能,例如三星galaxy s4/s3、諾基lumia 920/820、lg nexus4等等。但現(xiàn)階段基于qi電磁感應(yīng)技術(shù)的無線充電方案仍存在一些技術(shù)難題,主要體現(xiàn)在效率偏低(最高70%)、發(fā)熱嚴(yán)重、體積偏大等方面,即使是德州儀器(ti)、idt、飛思卡爾、凌陽等國際知名廠家經(jīng)過數(shù)年努力,性能改善依然不大,可以說qi電磁感應(yīng)方案在技術(shù)上存在先天不足,這也是眾多手機(jī)廠商不敢大范圍推出內(nèi)置電磁感應(yīng)技術(shù)無線充電手機(jī)的根本原因。
針對(duì)現(xiàn)有qi電磁感應(yīng)技術(shù),以及其他電磁共振、電場耦合等技術(shù)難以突破的技術(shù)障礙,硅展科技開發(fā)了“inpofi智能無輻射充電技術(shù)”。不同于電磁感應(yīng)、電磁共振、電場耦合等技術(shù)都通過電磁輻射來傳遞能量,利用智能控制通過電場直接傳輸能量。ssl1001、ssl1006芯片組從根本上解決了現(xiàn)有無線充電技術(shù)在效率發(fā)熱、電磁干擾、輻射等方面的技術(shù)問題,同時(shí)由于方案具有極高的集成度,在體積和成本上也均遠(yuǎn)優(yōu)于其他無線充電技術(shù)。
效率超90%,溫升小于2℃
電磁感應(yīng)、電磁共振技術(shù)電能轉(zhuǎn)化需要經(jīng)過“電→磁、磁→磁、磁→電”三次能量轉(zhuǎn)化過程,致使系統(tǒng)效率沒法突破,最高效率只能達(dá)到70%左右,發(fā)射器和接收器相對(duì)位置稍微偏移效率則可能低于40%。日本村田的電場耦合技術(shù)則需要通過“升壓至數(shù)kv、電→電、降壓”三次能量轉(zhuǎn)化過程,系統(tǒng)效率同樣最高只能達(dá)到70%左右。“inpofi智能無輻射充電技術(shù)” 簡化能量傳輸過程,直接“電→電”一次能量轉(zhuǎn)化即實(shí)現(xiàn)充電過程,系統(tǒng)效率超過90%。
由于效率偏低,基于電磁感應(yīng)、電磁共振、電場耦合等技術(shù)的無線充電器電能損耗很大,而損失的能量很多會(huì)轉(zhuǎn)化成熱量,從而使設(shè)備溫度上升,最高溫升可達(dá)20℃,這個(gè)溫升對(duì)電池及設(shè)備的壽命會(huì)造成一定影響,并存在潛在的安全隱患。“inpofi”技術(shù)的熱效應(yīng)及其微弱,充電過程中的設(shè)備外殼溫升不超過2℃。
pcb面積和bom減少90%
ssl1001、ssl1006芯片具有高度集成性,其將鎖相環(huán)時(shí)鐘電路、微處理器、電源管理系統(tǒng)、數(shù)據(jù)通信等模塊集成在一塊芯片。芯片能夠完成傳統(tǒng)無線充電方案需要2~9片芯片、一個(gè)感應(yīng)線圈以及多于30個(gè)分立元器件搭建的所有功能,極大的減少了整個(gè)系統(tǒng)的尺寸。
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