近期關(guān)于MLC閃存芯片技術(shù)上的討論很多，主要是隨著MP3主控芯片功能的提升，已經(jīng)可以支持MLC技閃存技術(shù)了，所以因MLC引起的問題得到很多人的關(guān)注。現(xiàn)在就像大家簡(jiǎn)單介紹一下MLC技術(shù)。

NAND Flash產(chǎn)品可以分為三大架構(gòu)，分別是單層式儲(chǔ)存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星電子、Hynix、美光（Micron）以及東芝都是此技術(shù)使用者，第二種則是多層式儲(chǔ)存（Multi Level Cell；MLC)，目前有東芝、Renesas使用，不過三星電子將在2005第四季推出相關(guān)產(chǎn)品，最后則是英飛凌（Infineon）與Saifun Semiconductors合資利用NROM技術(shù)所共同開發(fā)的多位儲(chǔ)存（Multi Bit Cell；MBC）。

MLC是英特爾（Intel）在1997年9月最先開發(fā)成功的，其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)Floating Gate，閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（Level）的電荷，透過內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫，假設(shè)以4種電壓控制、1個(gè)晶體管可存取2bits的數(shù)據(jù)，若是控制8種電壓就可以存取3 bits的數(shù)據(jù)，使Flash 的容量大幅提升，類似Rambus的QRSL技術(shù)，通過精確控制Floating Gat上的電荷數(shù)量，使其呈現(xiàn)出4種不同的存儲(chǔ)狀態(tài)，每種狀態(tài)代表兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)值（從00到11）。

當(dāng)然不光是NOR型閃存在使用，東芝在2003年2月推出第一款MLC型的NAND Flash，并接續(xù)在2004年4月推出采用MLC技術(shù)的4Gbit與8Gbit NAND Flash。根據(jù)Semiconductor Insights研究，東芝利用90nm MLC技術(shù)所開發(fā)出來(lái)的4Gb，其die面積為144平方毫米。

至于SLC技術(shù)與EEPROM相同，但在浮置閘極(Floating gate)與源極(Source gate)之中的氧化薄膜更薄，其數(shù)據(jù)的寫入是透過對(duì)浮置閘極的電荷加電壓，然后可以透過源極，即可將所儲(chǔ)存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲(chǔ)存1個(gè)信息單元，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術(shù)受限于Silicon efficiency的問題，必須要由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術(shù)。

綜上述所述，做一個(gè)比較，SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此MLC架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度，再加上可利用比較老舊的生產(chǎn)程備來(lái)提高產(chǎn)品的容量，而無(wú)須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢(shì)。

不過MLC架構(gòu)有著讓使用者很難容忍的缺點(diǎn)，首先是使用壽命較短，MLC架構(gòu)只能承受約1萬(wàn)次的存取，遠(yuǎn)低于SLC架構(gòu)的10萬(wàn)次。其次就是存取速度，SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上，加上MLC架構(gòu)對(duì)于電力的消耗較多。

其實(shí)MLC架構(gòu)用在一般移動(dòng)存儲(chǔ)上面沒有太大的問題，但是當(dāng)MLC架構(gòu)的閃存芯片用在MP3上就會(huì)有不可預(yù)知的麻煩。首先，MP3對(duì)閃存會(huì)因?yàn)槭章犚魳返脑�因進(jìn)行頻繁的讀取，因此1萬(wàn)次的讀取次數(shù)就顯得太少了；還有就是芯片的支持，單純的移動(dòng)存儲(chǔ)已經(jīng)可以完全兼容MLC架構(gòu)，MP3卻是近期才可支持，但是并不完全兼容，有的時(shí)候MP3就會(huì)出現(xiàn)死機(jī)的問題。

對(duì)于第二個(gè)問題，只要主控芯片的技術(shù)提升就可解決，但是對(duì)于讀取次數(shù)的問題卻很難解決。