看專家如何判定內(nèi)存芯片節(jié)點(diǎn)制程等級(jí)
當(dāng)初三星公司宣布自己將成為市場(chǎng)上首家推出“30nm級(jí)別“DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的公司時(shí),UBM TechInsights網(wǎng)站的分析師便開始焦急地等待對(duì)這款產(chǎn)品的實(shí)物進(jìn)行分析的機(jī)會(huì),如今他們終于得償所愿,得到了三星這款編號(hào)為 K4B2G0846D的芯片產(chǎn)品實(shí)物。話題的焦點(diǎn)基本聚集在驗(yàn)證韓國(guó)人”30nm級(jí)別“的說法是否有理有據(jù),他們的產(chǎn)品又是如何做到這點(diǎn)的這兩個(gè)問題上。
當(dāng)然,目前廠商衡量節(jié)點(diǎn)關(guān)鍵尺寸的方法有很多種,有些廠商喜歡用柵極長(zhǎng)度為節(jié)點(diǎn)制程的代號(hào),而有些廠商如Intel則比較強(qiáng)調(diào)柵極距(pitch)的尺寸,此前臺(tái)積電的40nm工藝便曾經(jīng)引起過相當(dāng)?shù)臓?zhēng)議,因此判斷這個(gè)問題比較令人信服的方法應(yīng)該是全面考察這款芯片各部分結(jié)構(gòu)的尺寸,而不是僅僅關(guān)注產(chǎn)品中的某種尺寸參數(shù)是否滿足要求。
那么,采用這種分析方法來分析三星的這款最新內(nèi)存芯片產(chǎn)品,會(huì)得到什么樣的結(jié)果呢?為了更好地理解三星這款新產(chǎn)品,我們先來看一組該產(chǎn)品與其它幾款DDR3芯片產(chǎn)品的尺寸對(duì)比數(shù)據(jù):
表中我們可以發(fā)現(xiàn)一個(gè)很有趣的情況,那就是各廠商產(chǎn)品中不同種類半節(jié)距尺寸的比值不盡相同,而且這些半節(jié)距尺寸與晶體管單元面積的比例關(guān)系也各有不同。比如三星公司的產(chǎn)品其淺槽隔離結(jié)構(gòu)的半節(jié)距尺寸比字線半節(jié)距尺寸明顯小一些,而鎂光公司的產(chǎn)品情況則恰好相反。
無論如何,芯片廠商升級(jí)制程的最終目的應(yīng)該是縮減單元晶體管的占地面積。從這點(diǎn)上看,三星目前的領(lǐng)先地位是比較明顯的。那么他們是如何做到這一點(diǎn)的呢?從上表中我們可以看到,三星各代產(chǎn)品通常會(huì)選擇將產(chǎn)品的單個(gè)特征尺寸進(jìn)行縮減,將淺槽隔離部分的特征尺寸減少如此多的數(shù)值在工程上而言其難度是相當(dāng)大的。
不過,稍微令我們失望的是,除此之外三星的這款新芯片在晶體管單元結(jié)構(gòu)方面并沒有發(fā)生多大變化,因此單元晶體管配置方面應(yīng)該仍然遵循6F2的架構(gòu)設(shè)計(jì),盡管如此其晶體管單元面積仍可相對(duì)同樣來自三星的48nm產(chǎn)品減小38%,相比鎂光的42nm產(chǎn)品則縮減24%左右。(責(zé)任編輯:admin)
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