SanDisk推新技術(shù)支持64GB單內(nèi)存芯片
在今年的今天在2009國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上,全球領(lǐng)先閃存供貨商SanDisk宣布即將大量生產(chǎn)基于領(lǐng)先業(yè)界的多層單元 (Multi-Level Cell,簡稱MLC) 科技的全球首項高效能4-bits-per-cell (X4) 閃存。
該項突破性科技采用43納米技術(shù),支持64GB單內(nèi)存芯片,以業(yè)界最高的內(nèi)存容量滿足日新月異的內(nèi)存應(yīng)用程序。另外,SanDisk生產(chǎn)了全新的X4控制器,從而對X4 內(nèi)存復(fù)雜性及性能表現(xiàn)進行必要及有效的管理。 該X4 內(nèi)存芯片及X4控制器芯片,共同結(jié)合于多芯片內(nèi)存模塊(Memory Multi-Chip Package,簡稱MCP)內(nèi),提供全面、 整合及低成本的內(nèi)存方案。
X4 閃存突破性發(fā)展
SanDisk一直與東芝公司合作發(fā)展及生產(chǎn)先進的閃存,本次還共同在43 納米技術(shù)上研發(fā)出了64GB X4閃存技術(shù)。全新的43nm 64GB X4芯片是世上容量最高及密度最大的閃存模塊,并于今年投入生產(chǎn);對比現(xiàn)代的多層式芯片技術(shù),43nm 64GB X4芯片寫入速度提升至每秒7.8MB。SanDisk專利All –Bit-Line (簡稱ABL) 架構(gòu)及最近面世的三步程序 (three-step programming,簡稱TSP)及順序意式概念(sequential sense concept ,簡稱SSC)是X4卓越表現(xiàn)的主要元素。
X4 控制器科技是關(guān)鍵
SanDisk研發(fā)了多項先進系統(tǒng)管理的創(chuàng)新應(yīng)用程序,以解決4-bits-per-cell的復(fù)雜技術(shù)所帶來的問題。由SanDisk研發(fā)及擁有的X4控制器,利用首個專為儲存系統(tǒng)而設(shè)的糾錯碼 (error correcting code,簡稱ECC) ,并支持4-bits-per-cell所需的16層分配模式。
此項重要發(fā)布距離SanDisk在2008國際固態(tài)電路大會上推出的X3 (3-bits-per-cell NAND)技術(shù)只有一年,并榮獲該會議2009劉易斯優(yōu)秀論文獎(Lewis Winner Outstanding Paper Award)。
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