耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM
SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使用鐵電體層來(lái)替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲(chǔ) 單元,科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu),不過(guò)其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。
這種技術(shù)能使存儲(chǔ)單元的體積更小,信息的保存時(shí)間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右,刷新的時(shí)間間隔可以更大,因此耗電量也更小,還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)。此外,有關(guān)的制造設(shè)備也更簡(jiǎn)單,因此從理論上說(shuō)制造成本也更低。
目前研究者們正努力制造基于FeDRAM技術(shù)的原型產(chǎn)品。在SRC公司的大力支持下,據(jù)稱FeDRAM內(nèi)存芯片有望在不久的將來(lái)面世,不過(guò)有關(guān)人士并沒(méi)有給出這款產(chǎn)品具體的面世時(shí)間。
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