三星電子首次開(kāi)發(fā)0.6mm厚度的8層芯片堆疊技術(shù)
近日,三星電子首次開(kāi)發(fā)了0.6mm厚度的8層芯片堆疊技術(shù)并將此技術(shù)應(yīng)用在了32GB NAND FLASH芯片堆疊上。并計(jì)劃將其應(yīng)用于移動(dòng)產(chǎn)品上。
此堆疊芯片是將750um厚度的12英寸晶圓背面磨到15um厚,堆疊起來(lái),形成高容量封裝的。原有NAND FLASH堆疊封裝是將芯片的晶圓加工到60um厚度,堆疊形成1mm的。目前,將芯片晶圓厚度加工到30um以下,會(huì)導(dǎo)致芯片強(qiáng)度減弱,堆疊間隔太窄而無(wú)法保證良率,此技術(shù)克服了這個(gè)問(wèn)題。運(yùn)用此次開(kāi)發(fā)的技術(shù),形成1mm厚度的NAND FLASH芯片堆疊,可以制造兩倍以上的大容量產(chǎn)品。三星電子利用此技術(shù),將提高占世界50%以上市場(chǎng)的移動(dòng)存儲(chǔ)復(fù)合芯片產(chǎn)品領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
三星電子 Test & Package中心 Tae-Gyeong Chung 常務(wù)說(shuō):“0.6mm 8層堆疊芯片對(duì)比目前大容量堆疊芯片市場(chǎng)主力產(chǎn)品,不僅在厚度,在重量方面減少一半,搭載大容量存儲(chǔ)芯片也是移動(dòng)市場(chǎng)最合適的解決方案。 三星電子提供了已被業(yè)界認(rèn)為是瓶頸的 1.0mm以下的堆疊方案,將幫助移動(dòng)機(jī)制造企業(yè)為消費(fèi)者設(shè)計(jì)更多樣的產(chǎn)品”。
另外,據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) ISupply報(bào)道,世界存儲(chǔ)卡市場(chǎng)2GB 容量以上的產(chǎn)品數(shù)將從2009年的3.1億個(gè)增長(zhǎng)到2012年的7.7億個(gè)。
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