英特爾展示RF CMOS技術(shù) 3枚無線芯片整合為1枚
2011年2月21日消息,美國英特爾在“Mobile World Congress 2011”(2011年2月14~17日,西班牙巴塞羅那)上,公布了利用硅CMOS技術(shù)制造功率放大器、LNA(低噪聲放大電路)以及RF開關(guān)等RF電路的研究成果。英特爾采用32nm工藝CMOS技術(shù)制造了RF電路,在會場上公開了使用該芯片進(jìn)行通信的演示。英特爾表示該芯片還可用于移動(dòng)通信。
英特爾的研究目的在于,將一般情況下由基帶處理器、RF收發(fā)器IC及前端模塊這3枚芯片組成的無線通信用電路整合為1枚芯片。此次的一大成果是,與英特爾目前正在供貨的個(gè)人電腦用微處理器一樣,利用了32nm的尖端工藝技術(shù)。“距離實(shí)現(xiàn)包括從應(yīng)用處理器到前端模塊在內(nèi)的無線通信用全方位SoC又近了一步”(英特爾)。預(yù)計(jì)此次的研究成果還可使用22nm工藝技術(shù)。
目前正處于試制各種無線通信方式的RF電路,驗(yàn)證其工作情況的階段。實(shí)用化時(shí)間尚未確定。“如果頻帶不到60GHz,對通信方式?jīng)]有限制。還可用于移動(dòng)通信方式等。不過,需要根據(jù)所需的傳輸電力來改變功率放大器的設(shè)計(jì)”(英特爾)。在此次的展示中,利用設(shè)想頻帶為2.3~2.8GHz時(shí)設(shè)計(jì)的芯片,進(jìn)行了通過無線LAN的通信演示。
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