三星力拼臺積電 成功試產(chǎn)14nm FinFET測試芯片
據(jù)國外媒體報導(dǎo),三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作,成第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片,進度領(lǐng)先臺積電,顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下,三星力拚臺積電的野心只增不減。
三星系統(tǒng)芯片部門主管表示,14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量,進一步改善行動環(huán)境,這也是IBM之后,第2家搭載安謀處理器架構(gòu),試產(chǎn)成功的14納米FinFET測試芯片。
晶圓代工行動裝置芯片商機大,F(xiàn)inFET技術(shù)可以解決不斷微縮的納米芯片的漏電問題。三星原本預(yù)計14納米FinFET于2014年量產(chǎn),與臺積電規(guī)劃的16納米FinFET同步。隨著三星14納米FinFET試產(chǎn)芯片推出,半導(dǎo)體業(yè)者認為,三星FinFET不排除提前半年量產(chǎn)。
臺積電面臨三星來勢洶洶的競爭外,格羅方德9月也宣布推出以FinFET導(dǎo)入的14納米元件,預(yù)計2013年底進入客戶試產(chǎn)階段,2014年正式量產(chǎn);聯(lián)電則預(yù)計2014年試產(chǎn)。
臺積電為了防堵競爭對手,預(yù)計使用安謀首款64位元處理器「v8」來測試16納米FinFET制程,預(yù)計明年11月推出首款測試芯片,最快2014年量產(chǎn)。
臺積電南科14廠將作為第1個量產(chǎn)16納米FinFET基地,再下一個世代的10納米FinFET制程,預(yù)計于2015年底推出。
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