三星成功試產(chǎn)首款14nm制程FinFET芯片
繼擴(kuò)建美國德州奧斯丁晶片生產(chǎn)線的計(jì)劃獲得批準(zhǔn)以后,三星又迎來了一個(gè)和芯片生產(chǎn)有關(guān)的好消息,他們于日前正式宣布已經(jīng)成功試產(chǎn)首款采用 14nm 制程的 FinFET 芯片。
據(jù)悉和現(xiàn)有產(chǎn)品相比該款14nm 制程的 FinFET芯片的設(shè)計(jì),可以大大改善電力和性能表現(xiàn),同時(shí)其還能將漏電率控制在較低的水平,有人把這種設(shè)計(jì)和英特爾 Ivy Bridge 芯片上使用的「Tri-Gate」晶體管技術(shù)相比。
三星表示這款晶片是與 ARM、Cadence、Mentor 以及 Synopsis 共同合作的成果。原文地址:http://tv.zol.com.cn/343/3439675.html
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