IBM發(fā)現(xiàn)可為芯片充電的新分子技術(shù)
IBM公司21日宣布了一項(xiàng)在分子層級(jí)的材料科學(xué)突破,從而為新型非易失性內(nèi)存和邏輯芯片的研發(fā)鋪平了道路。
與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體充電方式不同的是,IBM科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種使用微細(xì)離子電流給芯片充電的新方法。這種帶電分子流能夠模擬人腦運(yùn)行的“事件驅(qū)動(dòng)”的方式。相關(guān)研究成果發(fā)表在3月21日《科學(xué)》雜志上。
今天的計(jì)算機(jī)通常使用由CMOS工藝技術(shù)制成的半導(dǎo)體,這些芯片每隔兩年性能增加一倍,尺寸和成本則下降一半。但開發(fā)制造CMOS芯片的材料和技術(shù)正在迅速接近其物理和性能極限,因此亟待開發(fā)出新的技術(shù)解決方案來(lái)制造更高性能、更低功耗的設(shè)備。
IBM研究人員在材料特征化過(guò)程中,通過(guò)插入和刪除氧離子,首次將金屬氧化物從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,一旦材料成為導(dǎo)體,即使在設(shè)備電源關(guān)閉的情況下,非易失性內(nèi)存芯片仍將維持一個(gè)穩(wěn)定的金屬狀態(tài)。這種非易失性特性意味著,芯片可以更有效地以“事件驅(qū)動(dòng)”的方式來(lái)存儲(chǔ)和傳輸數(shù)據(jù),而不像硅那樣需要通過(guò)一個(gè)電流來(lái)持續(xù)充電和關(guān)閉。
為了實(shí)現(xiàn)這一突破,IBM研究人員將帶正電荷的離子液體電解質(zhì)運(yùn)用于一種絕緣的氧化物材料,并成功地將該材料轉(zhuǎn)換為導(dǎo)電金屬。材料將保持其金屬狀態(tài),直到帶負(fù)電荷的離子液體電解質(zhì)將其轉(zhuǎn)換回原來(lái)的絕緣狀態(tài)。金屬—絕緣體相變材料已經(jīng)存在并被研究了很多年,但與之前研究結(jié)論相反的是,IBM研究人員發(fā)現(xiàn)正是在金屬氧化物中去除和添加氧離子造成了材料狀態(tài)的改變。
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