國務(wù)院《關(guān)于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》極大地促進了我國新一代戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)國務(wù)院發(fā)展研究中心“重點產(chǎn)業(yè)調(diào)整轉(zhuǎn)型升級”課題組測算，僅新一代信息技術(shù)一項，其信息網(wǎng)絡(luò)及應(yīng)用市場規(guī)模至少達到數(shù)萬億元，數(shù)字電視終端和服務(wù)未來6年累計可帶動近兩萬億元的產(chǎn)值。而在這些領(lǐng)域中，幾乎無一能離開電力電子這一重要產(chǎn)業(yè)支持，我國電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正面臨著時代機遇。

然而，由于我國電力電子產(chǎn)業(yè)本身起步較晚，加之在發(fā)展前期并沒有引起足夠的重視，使得我國電力電子產(chǎn)業(yè)一直在外資的包圍中蹣跚前行。目前為止，我國高性能大功率IGBT市場幾乎全部被外資企業(yè)所占領(lǐng)，國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)甚至無一家具有完整的生產(chǎn)線，國內(nèi)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展困難重重。

盡管如此，但這并不意味著國內(nèi)企業(yè)完全沒有機會。我國電力電子企業(yè)經(jīng)過一段時間的積累，已經(jīng)具備了一定的生產(chǎn)能力：在材料方面，天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司的區(qū)熔單晶硅產(chǎn)銷量已位居世界第三位;在非全控型器件方面，我國企業(yè)也具備了一定的優(yōu)勢，如在FRD器件方面，國產(chǎn)器件在國內(nèi)市場占有80%以上的份額;在全控型功率半導(dǎo)體器件方面，我國已經(jīng)具有中低端性能器件的生產(chǎn)制造技術(shù)，多家企業(yè)對于600V～1200V、20A～80A IGBT器件的生產(chǎn)進入了中試階段，可以說我國電力電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)具備了一定的基礎(chǔ)，只是亟須進一步拓展市場。當前國外大廠的主要市場集中于電力電子、電機節(jié)能、汽車電子等領(lǐng)域，而在家電節(jié)能市場，國產(chǎn)功率電子器件是有機會獲得一席之地的。家電領(lǐng)域使用的IGBT電壓通常在1700V以下，在此范圍內(nèi)，我國企業(yè)已經(jīng)可以量產(chǎn)此產(chǎn)品。另外，國產(chǎn)化器件的成本較國外企業(yè)低15%～20%左右，如果進行國產(chǎn)化替代，將使家電企業(yè)的成本顯著降低，這在激烈的家電市場競爭中無疑是很有吸引力的。

我國電力電子產(chǎn)業(yè)在外部環(huán)境、自身能力、市場機會方面都面臨著很好的機遇，目前還需著力在高性能大功率器件及模塊技術(shù)方面實現(xiàn)突破。目前我國電力電子企業(yè)通過收購國外企業(yè)和在為國外公司進行代工生產(chǎn)的過程中也已掌握了一些技術(shù)，實現(xiàn)最終的突破只是時間問題。