臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣），而相比之下，臺(tái)積電的28nm制 程則有HKMG和傳統(tǒng)的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶(hù)選擇。另外，兩者對(duì)待450mm技術(shù)的態(tài)度也不相同，臺(tái)積電是450mm的積極推進(jìn)者， 而Globalfoundries及其IBM制造技術(shù)聯(lián)盟的伙伴們則對(duì)這項(xiàng)技術(shù)鮮有公開(kāi)表態(tài)。不過(guò)我們今天分析討論的重點(diǎn)則是其次世代光刻技術(shù)方面的戰(zhàn)略異同。

三家公司光刻技術(shù)策略的異同對(duì)比：

Globalfoundries，臺(tái)積電以及Intel三家在光刻技術(shù)方面的策略各有不同。其中臺(tái)積電一直對(duì)無(wú)掩模的電子束直寫(xiě)技術(shù)最為熱衷，但是他們最近對(duì)EUV技術(shù)的態(tài)度忽然變得熱烈起來(lái)。而Intel則對(duì)EUV技術(shù)十分看重，將其視為下一代光刻技術(shù)的首選(Intel的EUV投入量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)大概也定在2015年左右，而具體對(duì)應(yīng)的制程節(jié)點(diǎn)則可能會(huì)在10nm及更高等級(jí)，原因請(qǐng)參考我們的這篇文章），當(dāng)然兩家公司對(duì)電子束直寫(xiě)以及EUV也均有投入研究力量，但是側(cè)重點(diǎn)則有所不同而已。相比之下，Globalfoundries則與臺(tái)積電對(duì)比鮮明，他們對(duì)EUV技術(shù)顯得非常熱衷，不過(guò)他們對(duì)電子束直寫(xiě)的態(tài)度最近開(kāi)始變得熱烈起來(lái)。

傳統(tǒng)的光刻技術(shù)領(lǐng)域，臺(tái)積電主要使用ASML生產(chǎn)的光刻機(jī)，而Globalfoundries則腳踩ASML/尼康兩只船。自從45nm節(jié)點(diǎn)起，Globalfoundries便一直在使用193nm液浸式光刻機(jī)，他們認(rèn)為193nm液浸式光刻技術(shù)至少可以沿用到20nm節(jié)點(diǎn)。相比之下Intel則32nm節(jié)點(diǎn)起才開(kāi)始使用193nm液浸式光刻機(jī)，此前使用的是193nm干式光刻技術(shù)，Intel曾經(jīng)表示過(guò)準(zhǔn)備把193nm液浸式光刻技術(shù)沿用到10nm節(jié)點(diǎn)。

Globalfoundries的次世代光刻技術(shù)攻略詳述：20nm節(jié)點(diǎn)兩種光刻技術(shù)可選？

GlobalfoundriesEUV技術(shù)的熱衷程度與臺(tái)積電形成了鮮明的對(duì)比。去年Globalfoundries跳過(guò)ASML的預(yù)產(chǎn)型EUV光刻機(jī)，直接訂購(gòu)了ASML的量產(chǎn)型EUV設(shè)備。據(jù)Globalfoundries高管Harry Levinson介紹，他們計(jì)劃在20nm節(jié)點(diǎn)為用戶(hù)提供分別采用兩種不同光刻技術(shù)的選擇。

第一個(gè)選擇是使用193nm液浸式光刻+雙重成像技術(shù)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)193i+DP）制造的20nm制程產(chǎn)品，另外一個(gè)選擇則是使用EUV光刻技術(shù)制造的20nm制程產(chǎn)品。

據(jù)Harry Levinson表示，理論上講，193i+DP的光刻速度相對(duì)較慢，成本也相對(duì)較高，不過(guò)EUV光刻技術(shù)則急需解決曝光功率，掩模方面的問(wèn)題。

Globalfoundries的計(jì)劃是2012年安裝自己從ASML訂購(gòu)的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)，并于2014-2015年開(kāi)始將EUV光刻技術(shù)投入量產(chǎn)。不過(guò)按照計(jì)劃，Globalfoundries會(huì)在2013年推出基于22/20nm制程的芯片產(chǎn)品。這樣推斷下來(lái)，至少在Globalfoundries將EUV光刻機(jī)投入量產(chǎn)的2014年前，他們的20nm制程產(chǎn)品只能使用193i+DP技術(shù)來(lái)制造。

不過(guò)Levinson并沒(méi)有透露20nm節(jié)點(diǎn)之后Globalfoundrie在量產(chǎn)用光刻技術(shù)的布局計(jì)劃，但令人稍感意外的是，他們最近似乎開(kāi)始熱衷于研究電子束直寫(xiě)等無(wú)掩模型的光刻技術(shù)。對(duì)小尺寸晶圓以及ASIC即專(zhuān)用集成電路器件而言，無(wú)掩模技術(shù)顯得更適合作為下一代光刻技術(shù)使用。

臺(tái)積電的次世代光刻技術(shù)攻略詳述：16nm節(jié)點(diǎn)還是未知數(shù)

與Globalfoundrie類(lèi)似，臺(tái)積電也在40nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始使用193i光刻技術(shù)，臺(tái)積電計(jì)劃將這種技術(shù)沿用到28/20nm節(jié)點(diǎn)，至于16nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電則表示還在評(píng)估193i+DP，EUV以及無(wú)掩模光刻這三種技術(shù)的優(yōu)劣。

臺(tái)積電過(guò)去對(duì)EUV技術(shù)的熱乎勁一直不是很高，但是最近由于在無(wú)掩模光刻技術(shù)的研發(fā)上遇到一些困難，因此他們似乎又開(kāi)始重視這種技術(shù)。臺(tái)積電納米成像部的副總裁林本堅(jiān)表示：“臺(tái)積電16nm制程節(jié)點(diǎn)會(huì)是EUV或者無(wú)掩模光刻技術(shù)的二選一。而最終哪項(xiàng)技術(shù)會(huì)勝出則取決于其‘可行性’。”(責(zé)任編輯：admin)