英特爾采用3D晶體管技術(shù)開發(fā)新凌動芯片架構(gòu)
5月16日國際報道,英特爾正在開發(fā)一款采用3D晶體管技術(shù)的凌動芯片架構(gòu)。英特爾在加速節(jié)能芯片的開發(fā)進(jìn)程,以進(jìn)入智能手機(jī)和平板電腦芯片市場。
消息人士透露,代號為Silvermont的新款凌動芯片將于2013年發(fā)售。采用3D晶體管技術(shù)的Silvermont在整合度、性能和效能比方面將達(dá)到一個全新的水平。
與未來所有的凌動芯片一樣,Silvermont也采用片上系統(tǒng)設(shè)計。凌動芯片的發(fā)展速度快于摩爾定律。目前的凌動芯片采用45納米工藝,今年晚些時候?qū)⑸壍?2納米。
上述消息人士稱,盡管細(xì)節(jié)還不清楚,Silvermont旨在利用22納米工藝和3D晶體管技術(shù)。預(yù)計英特爾將在本周的分析師會議上披露更多的凌動片上系統(tǒng)開發(fā)計劃。
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