芯片制程邁向28納米 封裝技術(shù)大戰(zhàn)再起
隨著芯片制程逐漸微縮到28納米,在芯片密度更高及成本降低壓力下,銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)技術(shù)正逐漸取代錫鉛凸塊,成為覆晶主流技術(shù),封裝技術(shù)變革大戰(zhàn)再度開打。由于一線封裝大廠包括艾克爾(Amkor)、日月光、星科金朋(STATS ChipPAC)、矽品等皆具備銅柱凸塊技術(shù)能力,業(yè)界預(yù)期2012年可望放量生產(chǎn),并躍升技術(shù)主流。
芯片制程逐漸自40納米往28納米微縮,芯片體積變小,對空間、密度要求更高,加上成本壓力有增無減,促使芯片廠紛改采銅柱凸塊技術(shù),封測相關(guān)業(yè)者表示,主要通訊芯片大廠如德儀(TI)、高通(Qualcomm)、邁威爾(Marvell)、博通(Broadcom)、英飛凌(Infineon)紛跟進(jìn)采用,目前主要封裝大廠皆具備銅柱凸塊技術(shù)能力,其中以艾克爾因與德儀合作OMAP4平臺,進(jìn)展腳步最快,其次為日月光、星科金朋和矽品。
事實(shí)上,以英特爾(Intel)為首的IC芯片制造業(yè),已開始在特定產(chǎn)品采用銅柱凸塊覆晶技術(shù),初期主要用在PC相關(guān)芯片,然近期通訊芯片產(chǎn)品采用銅柱凸塊情況益趨增加,象是德儀基頻芯片平臺OMAP4便采用銅柱凸塊技術(shù)。封測業(yè)者表示,由于智能型手機(jī)講求短薄、功能多元及電力持久等特性,為預(yù)留較大電池空間,不僅需提高芯片密度,芯片厚度亦必須變薄,使得銅柱凸塊成為較佳的覆晶植球技術(shù)。
面對封裝技術(shù)演變,日月光在銅打線制程腳步相對領(lǐng)先,但在銅柱凸塊落后艾克爾,近期已開始送樣認(rèn)證,根據(jù)客戶產(chǎn)品藍(lán)圖規(guī)畫,隨著28納米制程在2012年躍升主流,將推升銅柱凸塊需求大幅成長。
對于以邏輯IC為主的封裝廠,覆晶植球技術(shù)自錫鉛凸塊轉(zhuǎn)為銅柱凸塊,封裝廠仍可沿用舊機(jī)臺,只需更換電鍍液即可,轉(zhuǎn)換成本不高,但對于以金凸塊為主的廠商,轉(zhuǎn)換技術(shù)可能較不易,以頎邦為例,由于金價(jià)高漲,降低成本不易,其雖擁有銅柱凸塊技術(shù)能力,但由于金凸塊和銅柱凸塊制程不同,必須投資新產(chǎn)線,以投資1萬片12寸晶圓所需銅柱凸塊制程產(chǎn)線而言,全線資本支出恐達(dá)新臺幣10億~20億元,所費(fèi)不貲。
在英特爾促使下,PC相關(guān)元件已率先采用銅柱凸塊,估計(jì)自2010~2016年銅柱凸塊市場復(fù)合成長率為19.68%(研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement資料),2012年銅柱凸塊技術(shù)將取代錫鉛凸塊躍升技術(shù)主流,預(yù)期到2016年將有一半覆晶植球晶圓采用銅柱凸塊技術(shù)。
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