聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在臺積電,Globalfoundries,三星等老牌代工商的沖擊下,聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌,更何況Intel也開始染指代工市場。在之前一輪的28nm HKMG制程技術(shù)競賽中,聯(lián)電便落在了臺積電的后面,所幸聯(lián)電后來與IBM技術(shù)發(fā)展聯(lián)盟達(dá)成了協(xié)議,要共同開發(fā)14/10nm級別FinFET制程技術(shù)。
當(dāng)然,要把虛的電路設(shè)計高效快速地轉(zhuǎn)換成實的可制造性好的實際電路布局,還離不開EDA軟件的幫忙,這次聯(lián)電的流片設(shè)計就是在Synopsys 的DesignWare和StarRC兩款EDA軟件的幫助下實現(xiàn)的。
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