L型電極的大功率LED芯片的封裝
美國(guó)GREE公司的1W大功率芯片(L型電極),它的上下各有一個(gè)電極。其碳化硅(SiC)襯底的底層首先鍍一層金屬,如金錫合金(一般做芯片的廠家已鍍好),然后在熱沉上也同樣鍍一層金錫合金。將LED芯片底座上的金屬和熱沉上的金屬熔合在一起,稱(chēng)為共晶焊接,如圖1所示。
對(duì)于這種封裝方式,一定要注意當(dāng)led芯片與熱沉一起加熱時(shí),二者接觸要好,最好二者之間加有一定壓力,而且二者接觸面一定要受力均勻,兩面平衡?刂坪媒鸷湾a的比例,這樣焊接效果才好。這種方法做出來(lái)的LED的熱阻較小、散熱較好、光效較高。
這種封裝方式是上、下兩面輸入電流。如果與熱沉相連的一極是與熱沉直接導(dǎo)電的,則熱沉也成為一個(gè)電極。因此連接熱沉與散熱片時(shí)要注意絕緣,而且需要使用導(dǎo)熱膠把熱沉與散熱片粘連好。使用這種LED要測(cè)試熱沉是否與其接觸的一極是零電阻,若為零電阻則是相通的,故與熱沉相連加裝散熱片時(shí)要注意與散熱片絕緣。
共晶點(diǎn)
加熱溫度也稱(chēng)為共晶點(diǎn)。溫度的多少要根據(jù)金和錫的比例來(lái)定:
·AuSn(金80%,錫20%):共晶點(diǎn)為282℃,加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。
·AuSn(金10%,錫90%):共晶點(diǎn)為217℃,加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。
·AgSn(銀3.5%,錫96.5%):共晶點(diǎn)為232℃,加熱時(shí)間控制在幾秒鐘之內(nèi)。
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