SEMICON West 2011會場本周又傳來了許多令人感興趣的半導(dǎo)體業(yè)界信息，其中本周三的會議內(nèi)容多與光刻技術(shù)有關(guān)，一起來回顧一下。

GlobalFoundries透露20nm制程部分細(xì)節(jié)：

首先是GlobalFoundries工程師Mark Kelling的發(fā)言，他在發(fā)言中提前透露了GlobalFoundries公司20nm節(jié)點(diǎn)制程產(chǎn)品的一些細(xì)節(jié)參數(shù)，以及將用于制造20nm制程產(chǎn)品的大致光刻技術(shù)方案。

據(jù)他透露，制程細(xì)節(jié)參數(shù)方面，相比22nm節(jié)點(diǎn)，GlobalFoundries20nm節(jié)點(diǎn)的多晶硅層節(jié)距（即柵節(jié)距）將從100nm縮減到80nm，而金屬層節(jié)距（相當(dāng)漏源極觸點(diǎn)節(jié)距）將從80nm縮減至64nm。

光刻技術(shù)方面，如以前公布的信息類似（之前GlobalFoundries的說法是，穩(wěn)妥起見，20nm節(jié)點(diǎn)會同時(shí)使用EUV和193i+DP兩種技術(shù)制作芯片產(chǎn)品，由客戶自由選擇），GlobalFoundries公司表示20nm節(jié)點(diǎn)制程他們將使用雙重成像技術(shù)，不過這次他們透露將采用的雙重成像技術(shù)使用了一種特殊的負(fù)調(diào)光阻膠顯影技術(shù)（negative-tone develop resist process），不過他拒絕透露這種特殊技術(shù)的更多細(xì)節(jié)。

PS：

“負(fù)調(diào)光阻膠顯影技術(shù)”的說法聽起來似乎與雙調(diào)顯影技術(shù)（DTD:Dual tone develpoment）存在某種類似的聯(lián)系，所謂DTD指的就是采用特殊的雙調(diào)顯影型光阻膠材料，只進(jìn)行一次曝光，不過曝光完成后進(jìn)行兩次顯影處理，第一次為正調(diào)顯影，即曝光劑量大于某門限值的光阻膠被消除；第二次為負(fù)調(diào)顯影，即曝光劑量小于某門限值的光阻膠被消除。如此便可達(dá)到雙重成像的效果。

尼康A(chǔ)SML介紹新款193i光刻機(jī)及EUV光刻機(jī)產(chǎn)品信息：

接著是兩大光刻設(shè)備廠商荷蘭ASML和日本尼康的發(fā)言。兩家公司均展示了其193nm光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)的新版本未來發(fā)展藍(lán)圖計(jì)劃。

尼康表示，其即將發(fā)布的621D光刻機(jī)（193nm液浸式設(shè)計(jì)）系統(tǒng)的套準(zhǔn)精度將可控制在2nm（3σ值）以內(nèi)水平，這款新機(jī)型同時(shí)還將應(yīng)用光刻機(jī)掃描曝光參數(shù)自動調(diào)節(jié)技術(shù)（ scanning tuning exposure control），即根據(jù)晶圓實(shí)際形貌和實(shí)際的電路布局狀況，微調(diào)焦距和曝光劑量，以此減小光刻制程變差，提高193nm液浸式光刻機(jī)性能的技術(shù)手段。更多有關(guān)NSR-S621D機(jī)型的信息，請參閱我們此前的有關(guān)報(bào)道。

另外，尼康還表示其試驗(yàn)型EUV-1光刻機(jī)數(shù)值孔徑（NA）將達(dá)0.25，而制造用型EUV-HVM光刻機(jī)的數(shù)值孔徑（NA）將達(dá)到0.4水平。

另外一家光刻大廠ASML則老調(diào)重提，展示了從試量產(chǎn)型的NXE:3100機(jī)型（NA=0.25）,到正式量產(chǎn)型NXE:3300B（晶圓產(chǎn)出率125片/小時(shí)）的一些技術(shù)參數(shù)，至于人們所關(guān)心的光源功率方面，ASML表示3300B所用光源可向晶圓表面?zhèn)魉偷墓庠茨芰繉⑦_(dá)到15mJ水平。(責(zé)任編輯：admin)