惠普計(jì)劃未來1年半內(nèi)推出非易失性內(nèi)存芯片
惠普官員Stan Williams,在對(duì)媒體采訪時(shí)說“我們計(jì)劃在未來1年半的時(shí)間內(nèi),推出一種可取代目前市場上閃存芯片的產(chǎn)品(Memristor)。我們還計(jì)劃將其打造成為可取代SSD的存儲(chǔ)解決方案。”
閃存已經(jīng)基本定型,“現(xiàn)在我們?cè)贒RAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器上不斷拓展,而且我們有信心在每比特能量轉(zhuǎn)換方面獲得2個(gè)數(shù)量級(jí)的改善。”“在實(shí)驗(yàn)室我們已經(jīng)對(duì)晶圓實(shí)現(xiàn)了數(shù)百次的運(yùn)行測試,”他補(bǔ)充說道。
惠普曾于去年與韓國芯片制造商Hynix建立了合作關(guān)系,共同生產(chǎn)下一代非易失性內(nèi)存產(chǎn)品。
Memristor或稱憶阻器技術(shù),它與電阻器、電容和電感器一樣也是一個(gè)基本的電路元件。在設(shè)備開啟和關(guān)閉之間,憶阻器的電子狀態(tài)保持不變——就像閃存記憶體一樣。這一點(diǎn)它可以和相變記憶體(PCM)競爭。一旦NAND閃存的制程縮小空間耗盡,NAND將無法可靠工作,面臨發(fā)展瓶頸問題。為此,這時(shí)候需要有新的技術(shù)加入進(jìn)來。
憶阻器可以記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量,在某種程度上說,憶阻器在任一時(shí)刻的電阻是時(shí)間的函數(shù),被稱為是電阻電容和電感之外的第四個(gè)基本元件。
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