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常用大功率LED芯片制作方法匯總

來源：中國LED照明網(wǎng)　作者：佚名　責(zé)任編輯：admin　發(fā)表時間:2011-11-07 13:24　

核心提示：通過增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸，促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布，以達到預(yù)期的光通量。但是，簡單地增大發(fā)光面積無法解決散熱問題和出光問題，并不能達到預(yù)期的光通量和實際應(yīng)用效果。

要想得到大功率LED器件，就必須制備合適的大功率LED芯片。國際上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下幾種：

加大尺寸法

通過增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸，促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布，以達到預(yù)期的光通量。但是，簡單地增大發(fā)光面積無法解決散熱問題和出光問題，并不能達到預(yù)期的光通量和實際應(yīng)用效果。

硅底板倒裝法

首先制備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時制備出相應(yīng)尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層（超聲金絲球焊點），再利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與硅底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)較為合理，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率LED的生產(chǎn)方式。

美國Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）結(jié)構(gòu)，其制造流程是：首先在外延片頂部的P型GaN上淀積厚度大于500A的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射；再采用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；經(jīng)淀積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1mm×1mm,P型歐姆接觸為正方形，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴展距離，把擴展電阻降至最�。蝗缓髮⒔饘倩裹c的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管（ESD）的硅載體上。

陶瓷底板倒裝法

先利用LED晶片通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層，然后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)既考慮了出光問題也考慮到了散熱問題，并且采用的陶瓷底板為高導(dǎo)熱陶瓷板，散熱效果非常理想，價格又相對較低，所以為目前較為適宜的底板材料，并可為將來的集成電路一體化封裝預(yù)留空間。

藍寶石襯底過渡法

按照傳統(tǒng)的InGaN芯片制造方法在藍寶石襯底上生長出PN結(jié)后，將藍寶石襯底切除，再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍光LED芯片。

AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法

美國Cree公司是全球唯一采用SiC襯底制造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產(chǎn)的AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進，亮度不斷提高。由于P型和N型電極分別位于芯片的底部和頂部，采用單引線鍵合，兼容性較好，使用方便，因而成為AlGaInNLED發(fā)展的另一主流產(chǎn)品。

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