融合網(wǎng)|DWRH.net專(zhuān)稿 3月15日電 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司( http://amec-inc.com/products/TSV.php?lang=zh_CN  )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM) -- 該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率，可應(yīng)用于8英寸晶圓微電子器件、微機(jī)電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設(shè)備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設(shè)備將被用于生產(chǎn)芯片的3D封裝、CMOS圖像感測(cè)器、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)已經(jīng)進(jìn)入昆山西鈦微電子和江陰長(zhǎng)電的生產(chǎn)線(xiàn)，以支持其先進(jìn)的封裝生產(chǎn)制造。預(yù)計(jì)中微不久還將收到來(lái)自臺(tái)灣和新加坡的訂單。

中微的TSV刻蝕設(shè)備和同類(lèi)產(chǎn)品相比有相當(dāng)多的優(yōu)點(diǎn)，在各種TSV刻蝕應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這些優(yōu)點(diǎn)包括：雙反應(yīng)臺(tái)的設(shè)計(jì)有效提高了產(chǎn)出率；獨(dú)特設(shè)計(jì)的預(yù)熱腔室保證了機(jī)臺(tái)運(yùn)行的高可靠性和高效能；獨(dú)特的氣體分布系統(tǒng)設(shè)計(jì)大大提高了刻蝕均勻性和刻蝕速率。這些特點(diǎn)使中微TSV刻蝕設(shè)備的單位投資產(chǎn)出率比市場(chǎng)上其他同類(lèi)設(shè)備提高了30%。

中微此次推出的TSV刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)標(biāo)志著公司在發(fā)展歷程中又邁出了新的一步，使中微的設(shè)備進(jìn)入了這一快速發(fā)展的市場(chǎng)前沿。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement*預(yù)測(cè)，三維芯片及晶圓級(jí)封裝設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模今年將達(dá)到7.88億美元，2016年將攀升至24億美元。TSV刻蝕設(shè)備將占據(jù)市場(chǎng)份額的一大部分，而其中的強(qiáng)勁需求多來(lái)自于中國(guó)企業(yè)。

中微開(kāi)發(fā)TSV刻蝕設(shè)備恰恰滿(mǎn)足了這樣的需求。CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)以及其他許多裝置都離不開(kāi)微小的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），而3D IC技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)芯片的必要條件。隨著半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸日益縮小，采用新的堆疊處理方法勢(shì)在必行。先進(jìn)芯片變得日益復(fù)雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡。通過(guò)芯片的堆疊，連接線(xiàn)比傳統(tǒng)的鍵合線(xiàn)更短，這就提高了封裝密度，加快了數(shù)據(jù)傳輸和處理速度，并降低了能耗，所有這些在更小的單元中就可以實(shí)現(xiàn)。

江陰長(zhǎng)電賴(lài)志明總經(jīng)理表示：“3D IC封裝是江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝的發(fā)展方向，技術(shù)關(guān)鍵是TSV工藝集成。中微的TSV刻蝕設(shè)備體現(xiàn)了出色的工藝性能，很好地支持了江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，并能始終保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。我們很高興能與中微合作。”(責(zé)任編輯：admin)